[发明专利]高介电常数糊剂组合物及使用其的电介质组合物有效
申请号: | 200980101011.6 | 申请日: | 2009-01-14 |
公开(公告)号: | CN101861629A | 公开(公告)日: | 2010-10-13 |
发明(设计)人: | 榛叶阳一;原义豪;水口创;野中敏央 | 申请(专利权)人: | 东丽株式会社 |
主分类号: | H01B3/00 | 分类号: | H01B3/00;C08K3/00;H01G4/12;H01G4/33 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明为一种高介电常数糊剂组合物,所述高介电常数糊剂组合物含有(A)具有钙钛矿型结晶结构或复合钙钛矿型结晶结构的无机粒子、(B)下述通式(1)~(4)中任一个表示的化合物及(C)有机溶剂。本发明提供一种用于制造高介电常数的电介质组合物的高介电常数糊剂组合物,所述电介质组合物的绝缘可靠性高、在高温高湿负荷试验中发挥良好的耐性。 |
||
搜索关键词: | 介电常数 组合 使用 电介质 | ||
【主权项】:
1.一种高介电常数糊剂组合物,所述高介电常数糊剂组合物含有(A)具有钙钛矿型结晶结构或复合钙钛矿型结晶结构的无机粒子、(B)下述通式(1)~(4)中任一个表示的化合物及(C)有机溶剂,
所述通式(1)~(4)中,R1表示具有聚合性基团的1价基团,R2表示氢原子或下述通式(5)表示的1价基团,
所述通式(5)中,m为1~3的整数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东丽株式会社,未经东丽株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200980101011.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:保鲜花的制造方法以及用于该方法的加工液
- 下一篇:2-氮杂金刚烷类的制造方法