[发明专利]溅射成膜方法以及溅射成膜装置有效
| 申请号： | 200980101012.0 | 申请日： | 2009-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN101861410A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 中村肇;进藤孝明;松田麻也子;石野耕司 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 罗正云;王琦 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的溅射成膜方法，是使用在靶的背面侧配置有磁铁的磁控阴极，在所述靶的表面侧沿第一方向搬送基板，同时使所述磁铁沿所述第一方向以及与所述第一方向相反的第二方向往复移动，在所述基板上进行溅射成膜的溅射成膜方法，使所述磁铁在所述第一方向上的移动速度与在所述第二方向上的移动速度不同，来进行溅射成膜。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
一种溅射成膜方法，使用在靶的背面侧配置有磁铁的磁控阴极，在所述靶的表面侧沿第一方向搬送基板，同时使所述磁铁沿所述第一方向以及与所述第一方向相反的第二方向往复移动，在所述基板上进行溅射成膜，其特征在于，使所述磁铁在所述第一方向上的移动速度与在所述第二方向上的移动速度不同，来进行溅射成膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社爱发科，未经株式会社爱发科许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980101012.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于加工结构化表面的方法
- 下一篇：镁合金
- 同类专利
- 专利分类
