[发明专利]Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法、包括Ⅲ族氮化物系化合物半导体的晶片以及Ⅲ族氮化物系化合物半导体器件

摘要

为了制造具有m面主表面和均匀取向的晶轴的III族氮化物系化合物半导体。在蓝宝石衬底的a面主表面中形成具有侧表面的台面，该侧表面具有与c面成45°或更小的倾角。随后，在300-420℃下供应三甲基铝，从而形成具有或更小厚度的铝层。将铝层氮化以形成氮化铝层。通过该程序，在具有a面主表面的蓝宝石衬底中，III族氮化物系化合物半导体仅从具有与c面成45°或更小倾角的台面侧表面外延生长。因此，可形成具有与蓝宝石衬底的主表面平行的m面的III族氮化物系化合物半导体。

主权项

一种用于制造Ⅲ族氮化物系化合物半导体的方法，其包括：热处理衬底的主表面，所述主表面上具有至少含有倾斜的侧表面的台面；通过在氨供应下的氮化而在具有所述台面的衬底表面上形成氮化铝薄膜；和主要在所述衬底的所述台面的所述侧表面上外延生长Ⅲ族氮化物系化合物半导体。