[发明专利]制造半导体衬底的方法无效
| 申请号： | 200980101436.7 | 申请日： | 2009-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101904017A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 亚历克西斯·德劳因;伯哈德·阿斯帕;克里斯托夫·德斯卢姆奥克斯;奥利弗·勒杜;克里斯托夫·菲盖 | 申请（专利权）人： | 硅绝缘体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;张旭东 |
| 地址： | 伯*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造半导体衬底的方法，该方法包括以下步骤：提供包括基底、绝缘层和第一半导体层的绝缘体上硅型衬底；对该第一半导体层进行掺杂从而得到改性的第一半导体层；以及在改性的第一半导体层上，特别是改性的第一半导体层上面提供具有与改性的第一半导体层不同的掺杂浓度的第二半导体层。根据该方法，可以在不同层中始终实现改进的掺杂浓度分布，使得该衬底特别适合于光电应用。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体衬底的方法，该方法包括以下步骤：a)提供包括基底(3)、绝缘层(5)和第一半导体层(7)的绝缘体上硅型(SOI)衬底(1)；b)对所述第一半导体层(7)进行掺杂以得到改性的第一半导体层(9)；以及c)在所述改性的第一半导体层(9)上，特别是在所述改性的第一半导体层(9)上面，提供具有与所述改性的第一半导体层(9)不同的掺杂浓度的第二半导体层(13)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
