[发明专利]在阻挡层上具有钌电镀层的ULSI微细配线构件有效
| 申请号： | 200980101581.5 | 申请日： | 2009-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN101911257A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 关口淳之辅;伊森彻;木名濑隆 | 申请（专利权）人： | 日矿金属株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288;C25D5/10;C25D7/12;H01L21/3205;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的是提供具有尤其是通孔和沟槽内侧壁的可达范围充分，与表面部的膜厚也均匀，并且杂质浓度少的种子层的ULSI微细配线构件。另外本发明的目的是还提供利用该种子层并通过接下来的电镀铜来形成没有空隙发生的微细配线的ULSI微细配线构件、其形成方法和形成有该ULSI微细配线的半导体晶片。本发明的ULSI微细配线构件具有基材和在基材上形成的ULSI微细配线，该ULSI微细配线具有在基材上形成的阻挡层和在该阻挡层上形成的钌电镀层。本发明提供将该钌层作为种子层形成了铜电镀层的ULSI微细配线构件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 阻挡 具有 镀层 ulsi 微细 构件 | ||
【主权项】：
一种ULSI微细配线构件，具有基材和在基材上形成的ULSI微细配线，其特征在于，该ULSI微细配线至少具有在基材上形成的阻挡层和在该阻挡层上形成的钌电镀层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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