[发明专利]薄膜晶体管基板及显示设备有效
| 申请号： | 200980101632.4 | 申请日： | 2009-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN101919060A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 越智元隆;川上信之;富久胜文;后藤裕史 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C22C21/00;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张宝荣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供不会发生源电极与漏电极的干蚀刻率降低或蚀刻残留的情况下，可在半导体层与作为源电极或漏电极的布线金属之间省略屏障金属的薄膜晶体管基板及显示设备。本发明是具有半导体层(1)、源电极(2)、漏电极(3)及透明导电膜(4)的薄膜晶体管基板，其中，源电极(2)及漏电极(3)由Al合金薄膜形成，所述Al合金薄膜通过利用干蚀刻法的图案化来形成，且含有0.1～1.5原子％的Si和/或Ge、0.1～3.0原子％的Ni和/或Co以及0.1～0.5原子％的La和/或Nd。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 显示 设备 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管基板，其具有源电极、漏电极、透明导电膜以及薄膜晶体管的半导体层，其特征在于，所述源电极及漏电极由Al合金薄膜形成，所述Al合金薄膜通过利用干蚀刻法的图案化来形成、且含有0.1～1.5原子％的选自Si及Ge中的至少一种、0.1～3.0原子％的选自Ni及Co中的至少一种以及0.1～0.5原子％的选自La及Nd中的至少一种，所述源电极及漏电极与由多结晶多晶硅或连续晶界结晶多晶硅形成的半导体层直接连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社神户制钢所，未经株式会社神户制钢所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980101632.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
