[发明专利]闭环MOCVD沉积控制无效
| 申请号： | 200980101679.0 | 申请日： | 2009-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101911253A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 苏杰;洛里·D·华盛顿;戴维·布尔;雅各布·格雷森;桑迪普·尼杰霍安;罗纳德·史蒂文斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种用来监视和控制用于组合工具的基板处理参数的方法和装置，该组合工具利用化学气相沉积和/或氢化物气相外延(HVPE)沉积。在一个实施方式中，金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺用于在处理室内在多个基板上沉积Ⅲ族氮化物膜。闭环控制系统执行原位监视Ⅲ族氮化物膜生长速率并根据需要来调整膜生长参数以保持目标生长速率。在另一实施方式中，闭环控制系统对于一个或多个膜沉积系统的多个处理室执行原位监视膜生长参数。 | ||
| 搜索关键词： | 闭环 mocvd 沉积 控制 | ||
【主权项】：
一种基板处理系统，包括：室，在该室中Ⅲ Ⅴ族膜被沉积在基板上，包括：一个或多个壁，形成处理空间；喷头组件，限定所述处理空间的顶部部分；可旋转基板载体，位于所述喷头组件下方并限定所述处理空间的底部部分，其中所述基板载体具有用于保持基板的多个凹槽；一个或多个计量工具，适于测量设置于所述基板载体上的基板的表面特性；和系统控制器，用于根据由所述计量工具获取的测量结果来控制所述室的工艺参数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
