[发明专利]用于光刻操作的间隔件双重图案化

摘要

本发明揭示半导体装置制作及布局产生的系统及方法。实例性方法包含以下过程：沉积第一材料层并图案化所述层以形成初始图案，其中所述初始图案使用单个曝光来界定布局元件的关键特征；在衬底上的第一图案上方沉积间隔件材料并蚀刻所述间隔件材料，使得所述间隔件材料从所述衬底及所述第一图案的水平表面被移除但仍保持在邻近于所述第一图案的垂直表面处；从所述衬底移除所述初始图案而留下间隔件图案中的所述间隔件材料；用最终材料填充所述间隔件图案；及修整所述经填充图案以移除所述最终材料的超过所述布局元件的尺寸的部分。

主权项

一种在半导体装置制作期间图案化布局元件的方法，其包括：沉积第一材料层并图案化所述层以形成初始图案，其中所述初始图案使用单个曝光来界定所述布局元件的关键特征；在衬底上的第一图案上方沉积间隔件材料并蚀刻所述间隔件材料，使得所述间隔件材料仍保持在邻近于所述第一图案处但从所述衬底的其它区域被移除；从所述衬底移除所述初始图案而留下间隔件图案中的所述间隔件材料；用最终材料填充所述间隔件图案；及修整所述经填充图案以移除所述最终材料的超过所述布局元件的尺寸的部分。