[发明专利]用于交叉点可变电阻材料存储器的三维和三维肖特基二极管、其形成工艺及其使用方法有效
| 申请号： | 200980102418.0 | 申请日： | 2009-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN101911298A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 刘峻;迈克尔·P·瓦奥莱特 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种可变电阻材料存储器(VRMM)装置包括容器型导体，其安置于耦合到VRMM的外延半导电突起上方。VRMM装置还可包括位于凹部中的耦合到VRMM的导电插塞。VRMM阵列还可包括位于周围凹部中的耦合到VRMM的导电插塞。设备包括具有二极管构造中的一者的VRMM。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 交叉点 可变 电阻 材料 存储器 维和 三维 肖特基 二极管 形成 工艺 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
一种工艺，其包含：在膜上形成外延突起；在所述外延突起上方保形地形成容器型导体；在所述容器型导体上方和之上形成电极；以及将所述电极耦合到可变电阻材料存储器(VRMM)单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
