[发明专利]生长Ⅲ族氮化物晶体的方法无效
| 申请号： | 200980102461.7 | 申请日： | 2009-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN101910477A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 佐藤史隆;中畑成二 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C23C16/02;C23C16/34;C30B25/18;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了用于生长III族氮化物晶体的方法，其包括如下步骤：准备衬底(10)，所述衬底包括构成其一个主面(10m)的III族氮化物晶种(10a)；通过气相腐蚀在所述衬底(10)的所述主面(10m)上形成多个小平面(10ms、10mt、10mu)；以及在其上形成有所述小平面(10ms、10mt、10mu)的所述主面(10m)上生长III族氮化物晶体(20)。以此方式，能够容易且有效地得到具有低位错密度的III族氮化物晶体(20)。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 氮化物 晶体 方法 | ||
【主权项】：
一种生长III族氮化物晶体的方法，所述方法包括如下步骤：准备衬底(10)，所述衬底包含构成其一个主面(10m)的III族氮化物晶种(10a)；通过气相腐蚀在所述衬底(10)的所述主面(10m)上形成多个小平面(10ms、10mt、10mu)；以及在其上形成有所述小平面(10ms、10mt、10mu)的所述主面(10m)上生长III族氮化物晶体(20)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社，未经住友电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980102461.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
