[发明专利]制造双取向IV族半导体衬底的方法

摘要

本发明涉及制造双取向IV族半导体衬底的方法，包括在DSB之类的衬底中仅在表面层第一横向区域中进行遮蔽非晶化，以及仅在第一横向区域中进行表面层的固相外延再生长，以便建立其(100)取向。接着，在表面层上制造覆盖层，随后制造隔离区，其将(110)取向的第一横向区域与(100)取向的第二横向区域彼此横向隔离。然后，相对于隔离区以选择性方式去除覆盖层，以使第一和第二横向区域的表面层露出，并采用外延生长方法再填充隔离区之间的第一和第二横向区域。

主权项

一种制造双取向IV族半导体衬底{700}的方法，包括步骤：提供(100)取向的IV族半导体衬底{702}和在衬底上的(110)取向的IV族半导体表面层{704}；仅在表面层的第一横向区域{710}中进行遮蔽非晶化{712，714}，在第一横向区域中期望有(100)取向的表面；仅在第一横向区域{712}中进行表面层{706}的固相外延再生长，以便建立其(100)取向；在表面层{706}上制造覆盖层{720}；制造隔离区{722，822}，隔离区{722，822}从覆盖层{720}的表面向内衬底延伸至少到表面层{706}，并且使(100)取向的第一横向区域{710}和(110)取向的第二横向区域{718}彼此横向隔离；以选择性方法相对于隔离区{722}去除覆盖层，以使第一和第二横向区域中的表面层{706}露出；以及通过进行IV族半导体材料的外延生长，在隔离区{722}之间再填充第一和第二横向区域{710，718}。