[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200980103495.8 | 申请日： | 2009-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN101933141A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 百田圣自;阿部和;椎木崇;藤井岳志;吉川功;今川铁太郎;小山雅纪;浅井诚 | 申请（专利权）人： | 富士电机系统株式会社;株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘建 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置。在主元件(24)的源电极(25)和电流检测元件(21)的电流感应电极(22)之间连接电流检测用的电阻。栅极绝缘膜(36)的绝缘耐压比反向偏压时可流过电流检测元件(21)的最大电流与上述电阻之积大。主元件(24)的p主体区域(32)的扩散深度比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的扩散深度浅，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的曲率比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的曲率小。因此，在外加反向偏压时，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的电场变得比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的电场高，主元件(24)变得易于在电流检测元件(21)之前发生雪崩击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具有：主绝缘栅型半导体元件；尺寸比该主绝缘栅型半导体元件小的电流检测用绝缘栅型半导体元件；以及连接在上述主绝缘栅型半导体元件和上述电流检测用绝缘栅型半导体元件之间的电阻，上述半导体装置根据该电阻两端的电位差来检测流过上述主绝缘栅型半导体元件的电流，其特征在于，在上述半导体装置中，上述电流检测用绝缘栅型半导体元件的反向偏压时的耐压，比上述主绝缘栅型半导体元件的反向偏压时的耐压高。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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