[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200980103509.6 | 申请日： | 2009-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN101933149A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 舛冈富士雄;新井绅太郎 | 申请（专利权）人： | 日本优尼山帝斯电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/08;H01L27/092;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郑小军;冯志云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体器件具备连接第1MOS晶体管的漏极或源极任一个与第2MOS晶体管的漏极或源极任一个的电路，半导体器件具备：衬底；衬底上的绝缘膜；及平面状半导体层，形成于衬底上的绝缘膜上；第1MOS晶体管含有：第1漏极/源极区域，形成于平面状半导体层；柱状半导体层，形成于平面状半导体层上；第2源极/漏极区域，形成于柱状半导体上部；及栅极，形成于柱状半导体层侧壁；第2MOS晶体管含有：第3漏极/源极区域，形成于平面状半导体层；柱状半导体层，形成于平面状半导体层上；第4源极/漏极区域，形成于柱状半导体上部；及栅极，形成于柱状半导体层侧壁；形成有硅化物层，连接第1漏极/源极区域上部至少一部分与第3漏极/源极区域上部至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，具备连接第1MOS晶体管的漏极或源极中任一个与第2MOS晶体管的漏极或源极中任一个的电路，该半导体器件具备：衬底；上述衬底上的绝缘膜；以及平面状半导体层，形成于上述衬底上的绝缘膜上；所述第1MOS晶体管含有：第1漏极/源极区域，形成于所述平面状半导体层；柱状半导体层，形成于该平面状半导体层上；第2源极/漏极区域，形成于该柱状半导体层上部；以及栅极，形成于该柱状半导体层的侧壁；所述第2MOS晶体管含有：第3漏极/源极区域，形成于所述平面状半导体层；柱状半导体层，形成于该平面状半导体层上；第4源极/漏极区域，形成于该柱状半导体层上部；以及栅极，形成于该柱状半导体层的侧壁；并形成有硅化物层，该硅化物层与所述第1漏极/源极区域的表面的至少一部分及所述第3漏极/源极区域的表面的至少一部分连接。
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