[发明专利]使用氧化物半导体的薄膜晶体管和显示器有效
| 申请号： | 200980103882.1 | 申请日： | 2009-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN101933150A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 阿米达·高亚;板垣奈穗;岩崎达哉 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 薄膜晶体管包括在衬底上形成的栅电极、栅极绝缘层、沟道层、源电极和漏电极，其中：该沟道层含有铟、锗和氧；并且该沟道层具有0.5-0.97的由In/(In+Ge)表示的组成比。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 氧化物 半导体 薄膜晶体管 显示器 | ||
【主权项】：
薄膜晶体管，其包括在衬底上形成的栅电极、栅极绝缘层、沟道层、源电极和漏电极，其中：该沟道层含有铟、锗和氧；并且该沟道层具有0.5 0.97的由In/(In+Ge)表示的组成比。
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