[发明专利]刻蚀非对称晶片的方法、包含非对称刻蚀晶片的太阳能电池及制造该太阳能电池的方法无效
| 申请号： | 200980104030.4 | 申请日： | 2009-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN101933123A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 金钟大;金范城;尹周焕;李永贤 | 申请（专利权）人： | LG电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;张旭东 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 根据本发明，可以通过交叠两个晶片并对它们执行单面刻蚀或非对称刻蚀，来同时获得用于太阳能电池的两个晶片，其中，所述两个晶片的受光表面被选择性地刻蚀。本发明提供了一种刻蚀晶片的方法，该方法包括对所述晶片执行单面刻蚀或非对称刻蚀的步骤，其中，所述执行单面刻蚀或非对称刻蚀的步骤包括：将两个晶片以各自的一面彼此面对的方式交叠；和对交叠的两个晶片进行刻蚀，并且，本发明还提供了包括所刻蚀的晶片的太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 对称 晶片 方法 包含 太阳能电池 制造 | ||
【主权项】：
一种刻蚀晶片的方法，该方法包括以下步骤：选择性地仅刻蚀所述晶片的一面；和以不同的刻蚀率非对称地刻蚀所述晶片的两面。
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