[发明专利]利用等离子体离子注入的磁畴图案化有效
| 申请号： | 200980104827.4 | 申请日： | 2009-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN101946282A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 史蒂文·维哈维伯克;马耶德·A·福阿德;尼蒂·M·克里希纳;奥姆卡拉姆·诺拉马苏;马哈林加姆·文卡特桑;卡迈什·吉里德哈 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/84 | 分类号： | G11B5/84;G11B5/39;G11C11/15;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于在基板上磁性薄膜中限定多个磁畴的方法，包含下列步骤：将该磁性薄膜涂覆以抗蚀剂；图案化该抗蚀剂，其中该磁性薄膜的多个区域实质未被覆盖住；以及将该磁性薄膜暴露于等离子体，其中等离子体离子穿透该磁性薄膜的该些实质未覆盖的区域，使得该些实质未覆盖的区域变为非磁性。一种用于此工艺的工具，包含：真空腔室，其维持在接地电势；气体入口阀件，其配置以将受控的气体量引入腔室；磁盘承载装置，其配置以(1)设置在该腔室内、(2)固持多个磁盘，使该些磁盘相隔，其中各磁盘的两侧面皆暴露出、及(3)电接触于该些磁盘；以及射频信号产生器，其电气耦接到该磁盘承载装置与该腔室，由此可以在该腔室中点燃等离子体，并且该些磁盘在两侧面上皆均匀地暴露于等离子体离子。此工艺可以用来制造存储器件，包括磁阻式随机存取存储器件。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 等离子体 离子 注入 图案 | ||
【主权项】：
一种用于在基板上磁性薄膜中限定多个磁畴的方法，该方法包含下列步骤：将该磁性薄膜涂覆以抗蚀剂；图案化该抗蚀剂，其中该磁性薄膜的多个区域实质未被覆盖住；以及将该磁性薄膜暴露于等离子体，其中等离子体离子穿透该磁性薄膜的该些实质未覆盖的区域，使得该些实质未覆盖的区域变为非磁性。
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