[发明专利]用于半导体晶片处理的高效静电吸盘无效
| 申请号： | 200980104876.8 | 申请日： | 2009-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN101946315A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 阿施施·布特那格尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 柳春雷;南霆 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明大体上提供一种高效静电吸盘，用以在处理体积中保持衬底。高效静电吸盘包含电极，该电极埋置在高纯度热塑性部件中。明确而言，高纯度热塑性部件可以包括金属离子含量极低的高纯度聚芳醚酮。相比较于在静电吸盘中使用聚醯亚胺膜而言，高纯度聚芳醚酮具有优越的耐磨损性、耐高温、耐等离子体、抗腐蚀性化学品、电稳定性及强度。本发明亦提供一种制造高效静电吸盘的简化方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 晶片 处理 高效 静电 吸盘 | ||
【主权项】：
一种多层式静电吸盘，包括：具有低金属离子浓度的高纯度聚芳醚酮部件，其中，所述高纯度聚芳醚酮部件作为所述静电吸盘中的介电质；以及预先形成的电极，其埋置在所述高纯度聚芳醚酮部件中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
