[发明专利]柔性半导体基板的制造方法有效
| 申请号： | 200980105243.9 | 申请日： | 2009-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN102089858A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 安松拓人 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的柔性半导体基板的制造方法包含：准备无机基板11的工序；在无机基板上利用溶液状的材料形成厚度为10μm不到的聚酰亚胺层22a的工序；在聚酰亚胺层上形成半导体元件的工序；在形成半导体元件之后从无机基板剥离聚酰亚胺层的工序；以及形成厚度在聚酰亚胺层的厚度以上的聚对二甲苯树脂层35、37的工序。聚对二甲苯树脂层在剥离工序之前形成在半导体元件上亦可，在剥离工序之后形成在聚酰亚胺层的与半导体元件相反的一侧亦可。本发明的制造方法在量产性方面优良。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种柔性半导体基板的制造方法，上述柔性半导体基板具备柔性基板和形成在上述柔性基板上的半导体元件，上述柔性半导体基板的制造方法的特征在于：包含：(a)准备无机基板的工序；(b)在上述无机基板上利用溶液状的材料形成厚度为10μm不到的聚酰亚胺层的工序；(c)在上述工序(b)之后，在上述聚酰亚胺层上形成上述半导体元件的工序；以及(d)在上述工序(c)之后，从上述无机基板剥离上述聚酰亚胺层的工序，还包含：(e1)在上述工序(c)之后并且在上述工序(d)之前，在上述半导体元件上形成厚度在上述聚酰亚胺层的厚度以上的聚对二甲苯树脂层的工序，或者，(e2)在上述工序(d)之后，在上述聚酰亚胺层的与上述半导体元件相反的一侧形成厚度在上述聚酰亚胺层的厚度以上的聚对二甲苯树脂层的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
