[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200980105302.2 | 申请日： | 2009-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101946331A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 舛冈富士雄;中村广记;工藤智彦;新井绅太郎 | 申请（专利权）人： | 日本优尼山帝斯电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郑小军;冯志云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体器件的制造方法包括下列步骤：于平面状半导体层上形成柱状的第1导电型半导体层；于平面状半导体层形成第2导电型半导体层；于第1导电型半导体层周围形成栅极绝缘膜及由金属和非晶硅或多晶硅的积层构造所构成的栅极电极；于栅极上部和第1导电型半导体层上部侧壁将第2和第1绝缘膜形成侧墙状；于栅极侧壁将第2和第1绝缘膜形成侧墙状；于第1导电型半导体层上部形成第2导电型半导体层；于平面状半导体层的第2导电型半导体层、第1导电型半导体层上部的第2导电型半导体层及栅极形成金属与半导体的化合物；于平面状半导体层的第2导电型半导体层上及第1导电型半导体层上部的第2导电型半导体层上形成接触部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有：在形成于衬底上的氧化膜上，形成有平面状半导体层，且于所述平面状半导体层上形成柱状第1导电型半导体层的步骤；于柱状第1导电型半导体层下部的平面状半导体层形成第2导电型半导体层的步骤；于柱状第1导电型半导体层的周围形成栅极绝缘膜及由金属和非晶硅或多晶硅的积层构造所构成的栅极电极的步骤；于栅极的上部且柱状第1导电型半导体层的上部侧壁，将绝缘膜形成侧墙状的步骤；于栅极的侧壁将绝缘膜形成侧墙状的步骤；于柱状第1导电型半导体层的上部形成第2导电型半导体层的步骤；在柱状第1导电型半导体层下部的平面状半导体层所形成的第2导电型半导体层形成金属与半导体的化合物的步骤；在柱状第1导电型半导体层上部形成的第2导电型半导体层形成金属与半导体的化合物的步骤；于栅极形成金属与半导体的化合物的步骤；在柱状第1导电型半导体层下部的平面状半导体层形成的第2导电型半导体层上形成接触部的步骤；及在柱状第1导电型半导体层的上部形成的第2导电型半导体层上形成接触部的步骤。
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