[发明专利]存储器电路中可调的流水线有效

专利信息
申请号: 200980105625.1 申请日: 2009-01-16
公开(公告)号: CN101946237A 公开(公告)日: 2011-01-12
发明(设计)人: 张沙彦;威廉·C·莫耶;于伊·B·恩古叶恩 申请(专利权)人: 飞思卡尔半导体公司
主分类号: G06F12/00 分类号: G06F12/00;G06F13/16
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 刘光明;穆德骏
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种技术,该技术用于操作存储器电路(18、300、400、908、1208),以针对存储器电路的至少一些操作点改进存储器电路(1002、1004、1006)的性能和/或功耗(1052、1054、1056),并且包括:至少部分基于存储器的操作点调节(1100)多个可操作流水线级(401、403)。在本发明的至少一个实施例中,用于操作存储器电路的方法包括:至少部分基于存储器电路产生的反馈信号(feedback、flush_ok、flush_ok1、flush_ok2、flush_ok3、flush_ok4、cycle_flush_through_ok)选择操作存储器电路的模式(flush_mode、flush1、flush2、mem_flush_control_bits)。该技术包括基于存储器电路的选择的操作模式使用多个流水线级操作(图5、图8)存储器电路。在本发明的至少一个实施例中,该技术包括感测(608、708)与各个流水线级(401)相关的时序容限(容限)并且基于此产生反馈信号。
搜索关键词: 存储器 电路 可调 流水线
【主权项】:
一种操作存储器电路的方法,包括:至少部分基于所述存储器电路产生的反馈信号,选择操作所述存储器电路的模式;以及使用多个流水线级来操作所述存储器电路,所述流水线级的数量基于所选择的所述存储器电路的操作模式。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞思卡尔半导体公司,未经飞思卡尔半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200980105625.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top