[发明专利]具有腔室处理与处理层等离子体放电以释放晶片的等离子体浸没离子注入工艺

摘要

在等离子体浸没离子注入工艺中，在不会因为增加处理层的厚度而损失晶片夹钳静电力的情况下，增加注入前腔室处理层的厚度，以允许在不用更换处理层的情况下进行一连串晶片的注入。可通过先以等离子体放电来除掉厚处理层的残留静电荷来实现上述动作。通过在每个晶片处理完之后，部分地补充该处理层，并且接着可在处理下一个晶片之前进行该补充处理层的简短等离子体放电，以进一步提高使用同一个处理层所能处理的晶片数量。

主权项

一种在等离子体反应器中离子注入连续多个半导体晶片的方法，包含：引入含硅气体及含氧气体至该腔室中，在该腔室中产生沉积等离子体，并且维持该沉积等离子体直到具有目标厚度的氧化硅处理层沉积在该腔室的内部空间表面上为止，该腔室内部空间表面包含静电夹盘的晶片支撑表面；引入氩气至该腔室中，在该腔室中产生导电放电等离子体，并且维持该导电放电等离子体直到在该处理层中的残留静电荷释放掉为止；对该连续多个半导体晶片中的每个晶片：(a)将该半导体晶片引入该反应器中，并且在该覆盖处理层的晶片支撑表面上静电夹钳该晶片；(b)引入含有半导体掺杂剂的气体至该腔室中，并且在该腔室中产生离子注入等离子体，以及维持该离子注入等离子体直到达到所需的离子注入剂量为止；(c)从该晶片支撑表面释放该晶片并且从该腔室移除该晶片；(d)对该连续多个晶片中的下一晶片重复步骤(a)、(b)及(c)；在对预定数目的晶片执行步骤(a)、(b)、(c)及(d)后，引入含蚀刻剂物种的气体至该腔室中并且在该腔室中产生蚀刻等离子体，以及维持该蚀刻等离子体直到该处理层已从该腔室内部空间表面上移除为止。