[发明专利]太阳能电池及太阳能电池的制造方法无效
| 申请号： | 200980105830.8 | 申请日： | 2009-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101946335A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 十楚博行;高本达也 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种太阳能电池及太阳能电池的制造方法，该太阳能电池包括背面电极层(5)、形成于背面电极层(5)表面上的半导体层(3)及形成于半导体层(3)表面上的表面电极层(7)，在背面电极层(5)的与形成有半导体层(3)的一侧相反的一侧的表面上具有支承层(8)，半导体层(3)包含至少一个pn结。所述太阳能电池具有多个将支承层开口部(6c)和半导体层开口部(6b)连接的作为空洞的通孔(16)，该支承层开口部(6c)形成于支承层(8)的与形成有背面电极层(5)的一侧相反的一侧的表面，该半导体层开口部(6b)形成于半导体层(3)的与形成有背面电极层(5)的一侧相反的一侧的表面。表面电极层(7)形成在未形成有半导体层开口部(6b)的区域内。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池，其特征在于，包括背面电极层(5)、形成于所述背面电极层(5)表面上的半导体层(3)及形成于所述半导体层(3)表面上的表面电极层(7)，在所述背面电极层(5)的与形成有所述半导体层(3)的一侧相反的一侧的表面上具有支承层(8)，所述半导体层(3)包含至少一个pn结，所述太阳能电池具有多个将支承层开口部(6c)和半导体层开口部(6b)连接的作为空洞的通孔(16)，该支承层开口部(6c)形成于所述支承层(8)的与形成有所述背面电极层(5)的一侧相反的一侧的表面，该半导体层开口部(6b)形成于所述半导体层(3)的与形成有所述背面电极层(5)的一侧相反的一侧的表面，所述表面电极层(7)形成在未形成有所述半导体层开口部(6b)的区域上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980105830.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
