[发明专利]用于处理基板的设备和方法无效
| 申请号： | 200980105972.4 | 申请日： | 2009-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN101952938A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 梁日光 | 申请（专利权）人： | 株式会社EUGENE科技 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;吕俊刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种基板处理设备包括：腔，其限定了对基板实施处理的处理空间；第一供应件，其位于该处理空间上方，用于向该处理空间供应第一源气体；等离子体源，其被设置为在该处理空间内产生电场以从第一源气体生成活性基；以及第二供应件，其被设置为在该基板上方供应第二源气体。该腔包括下部腔，该下部腔中安装有允许在其上放置基板的支撑件。该下部腔的顶部是敞开的。第二供应件安装在该下部腔的上端，以在大体上与放置在该支撑件上的基板平行的方向上供应第二源气体。第二源气体可以是含硅气体。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种基板处理设备，该基板处理设备包括：腔，其限定了对基板实施处理的处理空间；第一供应件，其位于该处理空间上方，用于向该处理空间供应第一源气体；等离子体源，其被设置为在该处理空间内产生电场以从第一源气体生成活性基；以及第二供应件，其被设置为在该基板上方供应第二源气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
