[发明专利]衬底处理装置和方法无效
| 申请号： | 200980105975.8 | 申请日： | 2009-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN101952940A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 梁日光 | 申请（专利权）人： | 株式会社EUGENE科技 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;张旭东 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种衬底处理装置包括：腔室，其限定对衬底执行处理的处理空间；第一供应部件，其被配置为向所述处理空间提供第一源气体；等离子体源，其被配置为在所述处理空间中生成电场，以从所述第一源气体生成活性基；以及第二供应部件，其位于所述第一供应部件下方，用于向所述衬底提供第二源气体。在所述腔室内安装有支承部件。所述第二供应部件设有供应喷嘴，所述供应喷嘴的下端对应于置于所述支承部件上的所述衬底的中心，以向所述衬底中心供应第二源气体。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种衬底处理装置，该衬底处理装置包括：腔室，其限定对衬底执行处理的处理空间；第一供应部件，其被配置为向所述处理空间提供第一源气体；等离子体源，其被配置为在所述处理空间中生成电场，以从所述第一源气体生成活性基；以及第二供应部件，其位于所述第一供应部件下方，用于向所述衬底提供第二源气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
