[发明专利]用于表征半导体构件的测量方法和装置

摘要

本发明涉及一种用于表征半导体构件(1)的测量方法，所述半导体构件具有至少一个PN结和测量面，所述测量面是所述半导体构件的前侧和/或后侧，所述测量面具有至少一个接通分区，所述接通分区被接通结构覆盖或者设置成被接通结构覆盖，所述测量方法包括下述步骤：A.对所述半导体构件(1)的所述测量面以面状方式施加电磁激励射束，以便使半导体构件(1)中的电荷载体对分开，以及B.借助至少一个探测单元以空间分辨的方式测量来自半导体构件(1)的电磁射束。重要的是：在至少一个步骤A中，对所述测量面的至少一个预先给定的受激分区施加针对所述受激分区预先给定的强度的激励射束，而对所述测量面的至少一个接收分区施加与所述受激分区相比强度更小的激励射束，其中，所述受激分区和所述接收分区设置在所述接通分区的对置侧上，并与所述接通分区相邻接和/或与所述接通分区完全或部分重叠。本发明还涉及一种用于实施所述方法的测量装置。

主权项

一种用于表征半导体构件(1)的测量方法，所述半导体构件具有至少一个PN结和测量面，所述测量面是所述半导体构件的前侧和/或后侧，所述测量面具有至少一个接通分区，所述接通分区被接通结构覆盖或者设置用于被接通结构覆盖，所述测量方法包括下述步骤：A对所述半导体构件(1)的所述测量面以面状方式施加电磁激励射束，以便使半导体构件(1)中的电荷载体对分开，以及B借助至少一个探测单元以空间分辨的方式测量由半导体构件(1)发出的电磁射束，其特征在于：在至少一个步骤A中，对所述测量面的至少一个预先给定的受激分区施加针对所述受激分区预先给定的强度的激励射束，而对所述测量面的至少一个接收分区施加与所述受激分区相比强度更小的激励射束，其中，所述受激分区和所述接收分区设置在所述接通分区的对置侧上，并与所述接通分区相邻接和/或与所述接通分区完全或部分重叠。