[发明专利]半导体结构以及形成半导体结构的方法

摘要

一些实施例包括形成半导体结构的方法。将氧化物形成于衬底上，且将第一材料形成于所述氧化物上。将第二材料形成于所述第一材料上。所述第二材料可为多晶硅和非晶硅中的一者或两者。将第三材料形成于所述第二材料上。将图案转移穿过所述第一材料、第二材料、第三材料和氧化物以形成开口。可将电容器形成于所述开口内。一些实施例包括半导体结构，其中氧化物在衬底上，第一材料在所述氧化物上，且含有多晶硅和非晶硅中的一者或两者的第二材料在所述第一材料上。第三、第四和第五材料在所述第二材料上。开口可延伸穿过所述氧化物，且穿过所述第一、第二、第三、第四和第五材料。

主权项

一种形成半导体结构的方法，其包含：将含二氧化硅材料形成于半导体衬底上；将第一材料形成于所述含二氧化硅材料上；将第二材料形成于所述第一材料上，所述含二氧化硅材料和所述第一材料相对于所述第二材料为可选择性蚀刻的，所述第二材料包含多晶硅和非晶硅中的一者或两者；将第三材料形成于所述第二材料上；将经图案化掩模形成于所述第三材料上；以及通过一个或一个以上合适的蚀刻将图案从所述掩模转移穿过所述第一材料、第二材料、第三材料和含二氧化硅材料以形成延伸穿过所述第一材料、第二材料、第三材料和含二氧化硅材料的开口。