[发明专利]金属衬底上的碳纳米管图案化无效
| 申请号： | 200980106855.X | 申请日： | 2009-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN101965310A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | C·V·恩古延 | 申请（专利权）人： | 埃洛雷特公司 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;C01B31/02;B82B1/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴立明;郑菊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开一种CNT电子源、一种制造CNT电子源的方法和一种利用CNT图案化雕塑的衬底的太阳能电池。实施例利用金属衬底，该金属衬底使CNT能够直接从衬底生长。可以向金属衬底施加抑制剂以抑制从金属衬底生长CNT。可以以任何图案向金属衬底精确地施加抑制剂，由此使CNT群集的定位能够更精确地加以控制。可以变化金属衬底的表面粗糙度以控制CNT在各CNT群集内的密度。另外，可以向CNT电子源施加吸收剂层和受主层以形成太阳能电池，其中可以响应于日光曝光在受主层与金属衬底之间生成电压电势。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 衬底 纳米 图案 | ||
【主权项】：
一种制造电子源的方法，所述方法包括：获取金属衬底；向所述金属衬底的第一多个区域施加抑制剂，其中所述抑制剂可操作用以抑制碳纳米管在所述金属衬底的所述第一多个区域中的生长；并且在所述金属衬底上与所述第一多个区域分离的第二多个区域中生长碳纳米管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于埃洛雷特公司，未经埃洛雷特公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980106855.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
