[发明专利]碳纳米管支持体及其制造方法无效
| 申请号： | 200980106910.5 | 申请日： | 2009-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101960286A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 中山喜万;平原佳织;千贺亮典 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人科学技术振兴机构 |
| 主分类号： | G01N13/10 | 分类号： | G01N13/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在气氛中的残留烃极少的高真空状态下，可进行牢固的CNT固定处理，采用单层或2层等的细径CNT的CNT纳米器件及、该制作过程中必需的CNT载体等CNT支持体及其制造方法。在支持体18上形成支持部18a。使CNT15的基端部15a转移至支持部18a，向CNT15的基端部15a照射电子束17或离子束。被覆基端部15a及支持部18a的碳物质层19通过所述电子束17或离子束，变成无定形碳层及石墨层。通过该石墨层，将CNT15固定于支持体18，制成CNT支持体。该束照射在TEM内的高真空下进行。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 支持 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种CNT支持体，其特征在于，在支持体的支持部固定了碳纳米管(下面称作CNT)的CNT支持体中，在所述支持部的表面形成下侧石墨层，将CNT固定部接触配置在所述下侧石墨层的表面，通过进一步使上侧石墨层被覆所述固定部，使所述CNT固定于所述支持部。
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