[发明专利]含硅膜的蚀刻方法及装置有效
| 申请号： | 200980106982.X | 申请日： | 2009-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101960566A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 功刀俊介 | 申请（专利权）人： | 积水化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H05H1/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明可以缩短处理时间且抑制基底膜的蚀刻，同时无残渣地对含硅膜进行蚀刻。使含有含氟反应成分和H2O或含OH基化合物的处理气体与被处理物(90)接触，对含硅膜(93)进行蚀刻。随蚀刻的进行改变处理气体中的H2O或含OH基化合物的含有率。优选在对含硅膜的欲蚀刻部分的大半部分进行蚀刻的第一蚀刻工序中增高上述含有率，在对残留部分的含硅膜进行蚀刻的第二蚀刻工序中降低上述含有率。 | ||
| 搜索关键词： | 含硅膜 蚀刻 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种含硅膜的蚀刻方法，是对在基底膜上层叠有含硅膜的被处理物进行蚀刻，其特征在于，使含有含氟反应成分和H2O的处理气体或含有含氟反应成分和含OH基化合物的处理气体与所述被处理物接触，并随蚀刻的进行改变所述处理气体中的H2O或含OH基化合物的含有率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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