[发明专利]制造半导体陶瓷组成物的工艺以及采用半导体陶瓷组成物的加热器无效
| 申请号： | 200980107173.0 | 申请日： | 2009-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101959829A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 岛田武司;猪野健太郎;木田年纪 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/46 | 分类号： | C04B35/46;H01C7/02 |
| 代理公司： | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人： | 陈波;杨本良 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 为了提高BaTiO3-(Bi1/2Na1/2)TiO3材料的跳跃特性。提供一种用于制造其中一部分Ba用Bi-Na代替的半导体陶瓷组成物的工艺，该工艺包括：制备(BaQ)TiO3煅烧粉末的步骤(其中Q是半导体掺杂剂)，制备(BiNa)TiO3煅烧粉末的步骤，混合(BaQ)TiO3煅烧粉末和(BiNa)TiO3煅烧粉末的步骤，模制和烧结该混合的煅烧粉末的步骤，以及在600℃或更低的温度下热处理该获得的烧结体的步骤；并且采用通过以上步骤制备的元件的PCT加热器。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 陶瓷 组成 工艺 以及 采用 加热器 | ||
【主权项】：
一种制造半导体陶瓷组成物的工艺，该半导体陶瓷组成物中的一部分Ba用Bi‑Na代替，该工艺包括在600℃或更低的温度下热处理该半导体陶瓷组成物的步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立金属株式会社，未经日立金属株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980107173.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种番鸭配合饲料及其制备方法
- 下一篇：水泥窑抽出气体之处理系统及处理方法
