[发明专利]用于制备硅质膜的浸渍溶液和使用所述浸渍溶液制备硅质膜的方法无效
| 申请号： | 200980107577.X | 申请日： | 2009-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN101965629A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 林昌伸 | 申请（专利权）人： | AZ电子材料(日本)株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;B05D3/10;C09D183/16;H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所 11216 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及在制备硅质膜的方法中使用的浸渍溶液。本发明提供一种浸渍溶液和使用该溶液制备硅质膜的方法。即使在具有凹部和凸部的衬底的凹部，该浸渍溶液也能够形成均匀的硅质膜。在衬底上涂布聚硅氮烷组合物，然后在烧制前浸渍在所述溶液中。该浸渍溶液包含过氧化氢、气泡沉积抑制剂和溶剂。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制备 质膜 浸渍 溶液 使用 方法 | ||
【主权项】：
一种浸渍溶液，该浸渍溶液用于在制备硅质膜的方法中在烧制涂布了聚硅氮烷组合物的衬底前浸渍该衬底；所述浸渍溶液包含过氧化氢、从醇、表面活性剂及它们的混合物中选出的气泡沉积抑制剂和除所述醇以外的溶剂。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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