[发明专利]包括转化的超分辨率凹坑和平台的光学存储介质有效
申请号: | 200980107975.1 | 申请日: | 2009-03-06 |
公开(公告)号: | CN101960521A | 公开(公告)日: | 2011-01-26 |
发明(设计)人: | 盖尔·皮拉德;赫伯特·霍尔兹曼;拉里萨·冯雷维尔;克里斯托弗·费里 | 申请(专利权)人: | 汤姆森特许公司 |
主分类号: | G11B7/013 | 分类号: | G11B7/013;G11B7/24 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 吕晓章 |
地址: | 法国伊西*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 一种光学存储介质,包括:基底层;数据层,其具有在基底层上的轨道中布置的带有数据的凹坑/平台数据结构;以及非线性层,其具有在数据层上安排的超分辨率结构,其中具有低于衍射极限的尺寸的平台(2TL)被转化为凹坑(IL)并且由辅助平台(AL)包围,而具有低于衍射极限的尺寸的凹坑(2TP)被转化为平台(IP)并且由辅助凹坑(AP)包围。光学存储介质具体地是包括用于提供超分辨率效应的例如AgInSbTe的相变材料的只读光盘。 | ||
搜索关键词: | 包括 转化 分辨率 平台 光学 存储 介质 | ||
【主权项】:
一种光学存储介质,包括基底层(2),数据层(3),其具有在所述基底层(2)上的轨道中布置的带有数据的凹坑/平台数据结构,以及非线性层(4),其具有在所述数据层(3)上安排的超分辨率结构,其中所述数据结构包括具有高于用于读取数据的拾取器的衍射极限的尺寸的凹坑和平台(3T‑5T)和具有低于所述衍射极限的尺寸的凹坑和平台(2T),其特征在于具有低于所述衍射极限的尺寸的平台(2TL)被转化为凹坑(IL),而具有低于所述衍射极限的尺寸的凹坑(2TP)被转化为平台(IP),其中转化为凹坑(IL)的平台(2TL)和转化为平台(IP)的凹坑(2TP)由辅助平台(AL)和/或凹坑(AP)包围。
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