[发明专利]碳化硅半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200980108148.4 | 申请日： | 2009-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN101960606A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 渡边昭裕;中田修平;大塚健一 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/265;H01L21/336;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种源·漏之间的耐压高、减小了ON时和OFF时的栅·漏之间电容之差的碳化硅MOSFET。设置有：在第1导电类型的碳化硅基板上设置的第1导电类型的碳化硅漂移层；在碳化硅漂移层的表层部中设置的呈现第2导电类型的一对基区；在一对所述基区的表层部的内侧设置的呈现第1导电类型的一对源区；以及在碳化硅基板与一对所述基区之间设置的半绝缘区域。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体器件，具备：第1导电类型的碳化硅基板；第1导电类型的碳化硅漂移层，在所述碳化硅基板的主面上设置；一对基区，在所述碳化硅漂移层的表层部隔开设置，并呈现第2导电类型；一对源区，在一对所述基区的表层部的内部设置，并呈现第1导电类型；一对半绝缘区域，在所述碳化硅基板与一对所述基区之间设置；栅电极，在所述碳化硅漂移层的表面上隔着栅绝缘膜设置；源电极，与所述源区以及所述基区相接地设置；以及漏电极，在所述碳化硅基板的与主面相反一侧的面上设置。
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