[发明专利]无需光刻胶或干蚀刻而形成图案化硬掩膜(RFP)的工艺顺序无效
申请号: | 200980108171.3 | 申请日: | 2009-02-05 |
公开(公告)号: | CN101965626A | 公开(公告)日: | 2011-02-02 |
发明(设计)人: | 斯里尼瓦斯·D·内曼尼;尚卡·文卡塔拉曼;艾莉·Y·伊恩 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 依据本发明一实施方式而揭示以紫外光来图案化硬掩膜的方法与系统。本发明实施方式可减轻为了产生硬掩模图案而进行沉积与蚀刻光刻胶时的各种工艺问题。先在沉积腔室内的基板上沉积诸如氧化硅的硬掩模层。在某些情况下,可于沉积后对此硬掩模层实施烘烤或退火。之后,将部分硬掩模层暴露在紫外光下。该紫外光可产生此硬掩模材料的曝光与未曝光部分的图案。曝光后,可实施蚀刻工艺(如,湿蚀刻)来移除此硬掩模上的未曝光部分。蚀刻后,可对此硬掩模实施退火、烘烤或等离子体处理。 | ||
搜索关键词: | 无需 光刻 蚀刻 形成 图案 化硬掩膜 rfp 工艺 顺序 | ||
【主权项】:
一种使用紫外光来图案化硬掩膜的方法,该方法包括:在一沉积腔室内,沉积一硬掩模层到一基板上;将部分该硬掩模层暴露在紫外光下,其中被紫外光曝光的硬掩模部分在该硬掩模层上形成一曝光区域图案;及蚀刻该硬掩模层,其中蚀刻可移除该硬掩模层的未曝光部份。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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