[发明专利]配线结构、薄膜晶体管基板及其制造方法、以及显示装置有效

申请号：	200980108416.2	申请日：	2009-04-17
公开（公告）号：	CN101971294A	公开（公告）日：	2011-02-09
发明（设计）人：	川上信之;越智元隆;三木绫;森田晋也;横田嘉宏;福间信也;后藤裕史	申请（专利权）人：	株式会社神户制钢所
主分类号：	H01L21/28	分类号：	H01L21/28;H01L21/336;H01L21/768;H01L29/417;H01L29/78;H01L29/786
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司 11021	代理人：	李贵亮
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	本发明提供一种能够省略在纯Al或Al合金的Al系合金配线与半导体层之间的阻障金属层的直接接触技术，其是可以在宽的工艺余度的范围将Al系合金配线与半导体层直接且可靠地连接的技术。本发明涉及一种配线结构，其为在基板之上从基板侧开始依次具备半导体层、纯Al或Al合金的Al系合金膜的配线结构，在所述半导体层和所述Al系合金膜之间含有从基板侧开始依次为(N、C、F)层以及Al-Si扩散层的层叠结构，所述(N、C、F)层为含有选自氮、碳和氟中的至少一种元素的层，所述Al-Si扩散层含有Al和Si，且所述(N、C、F)层中所含的氮、碳和氟中的至少一种的元素与所述半导体层中所含的Si结合。
搜索关键词：	结构薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置
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【主权项】：

一种配线结构，其特征在于，其为在基板之上从基板侧开始依次具备半导体层、纯Al或Al合金的Al系合金膜的配线结构，在所述半导体层和所述Al系合金膜之间含有从基板侧开始依次为(N、C、F)层以及Al‑Si扩散层的层叠结构，所述(N、C、F)层为含有选自氮、碳和氟中的至少一种元素的层，所述Al‑Si扩散层含有Al和Si，且所述(N、C、F)层中所含的氮、碳和氟中的至少一种的元素与所述半导体层中所含的Si结合。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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