[发明专利]化合物半导体发光元件、采用该化合物半导体发光元件的照明装置以及化合物半导体发光元件的制造方法有效
| 申请号： | 200980108846.4 | 申请日： | 2009-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101971369A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·大卫·阿米蒂奇 | 申请（专利权）人： | 松下电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 吕静姝;杨暄 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种化合物半导体发光元件，包括：衬底；第一电极，设置于所述衬底的其中一个面上；纳米级的多个柱状结晶结构体，其为被依次层叠在所述衬底的另一个面上的n型半导体层、发光层以及p型半导体层；第二电极，与所述多个柱状结晶结构体的顶部连接；以及基础层，设置于作为所述衬底的一部分区域的第一区域中的所述另一个面一侧，用于控制所述柱状结晶结构体的生长，其中，在作为所述衬底中除所述第一区域以外的其余区域的至少一部分的第二区域与该第一区域之间的所述另一个面上设置有高度差。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 发光 元件 采用 照明 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体发光元件，其特征在于包括：衬底；第一电极，设置于所述衬底的其中一个面上；纳米级的多个柱状结晶结构体，其为被依次层叠在所述衬底的另一个面上的n型半导体层、发光层以及p型半导体层；第二电极，与所述多个柱状结晶结构体的顶部连接；以及基础层，设置于作为所述衬底的一部分区域的第一区域的所述另一个面一侧，用于控制所述柱状结晶结构体的生长，其中，在作为所述衬底中除所述第一区域以外的其余区域的至少一部分的第二区域与该第一区域之间的所述另一个面上设置有高度差。
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