[发明专利]薄膜晶体管的制造方法、薄膜晶体管有效
| 申请号： | 200980109017.8 | 申请日： | 2009-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101971349A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 高泽悟;石桥晓;增田忠 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/285;H01L21/3205;H01L23/52 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种即使暴露于氢等离子体中也不发生剥离的金属布线膜。由紧贴层(51)和金属低电阻层(52)构成金属布线膜(20a)，该紧贴层(51)在铜中添加Al而成，该金属低电阻层(52)配置在紧贴层(51)上，由纯铜构成。紧贴层(51)中含有铜合金，该铜合金含有Al和氧，当构成与硅层紧贴的源极电极膜(27)和漏极电极膜(28)时，即使暴露于氢等离子体中，紧贴层(51)和硅层的界面也不析出铜，在紧贴层(51)和硅层之间不发生剥离。当Al变多时，在蚀刻后紧贴层(51)和金属低电阻层(52)的宽度明显不同，所以，能够蚀刻的最大的添加量成为上限。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种反交错型的薄膜晶体管的制造方法，包括：在处理对象物上形成栅极电极的工序；在所述栅极电极上形成栅极绝缘层的工序；在所述栅极绝缘层上形成半导体层的工序；在所述半导体层上形成欧姆接触层的工序；在所述欧姆接触层上形成金属布线膜的工序；对所述欧姆接触层和所述金属布线膜进行构图，形成第一、第二欧姆接触层、源极电极和漏极电极的工序，其特征在于，形成所述金属布线膜的工序包括：在真空环境中导入含有溅射气体和氧化性气体的气体，对含有Al和铜的铜合金靶进行溅射，在所述欧姆接触层上形成含有铜、Al和氧的紧贴层的工序。
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