[发明专利]具有静电放电保护单元的辐射发射型半导体芯片及其制造方法

摘要

本发明涉及一种辐射发射型半导体芯片(1)，具有载体(5)和带有半导体层组的半导体本体(2)。半导体层组具有用于产生辐射的有源区(20)、第一半导体层(21)和第二半导体层(22)。有源区(20)配置于第一半导体层(21)与第二半导体层(22)之间。第一半导体层(21)配置在有源区(20)的远离载体(5)的一侧。半导体本体(2)具有延伸穿过有源区(20)的至少一个凹部(25)。第一半导体层(21)与第一连接层(31)导电连接，第一连接层(31)在凹部(25)中从第一半导体层(21)向载体(5)的方向延伸。第一连接层(31)由保护二极管(4)与第二半导体层(22)电连接。此外，本发明还涉及一种制造辐射发射型半导体芯片的方法。

主权项

一种辐射发射型半导体芯片(1)，具有载体(5)和带有半导体层组的半导体本体(2)，其中，所述半导体层组具有用于产生辐射的有源区(20)、第一半导体层(21)和第二半导体层(22)；有源区(20)配置在第一半导体层(21)与第二半导体层(22)之间；第一半导体层(21)配置在有源区(20)的远离载体(5)的一侧上；半导体本体(2)具有延伸穿过有源区(20)的至少一个凹部(25)；第一半导体层(21)与第一连接层(31)导电连接，第一连接层(31)在凹部(25)中从第一连接层(31)向载体(5)的方向延伸；和第一连接层(31)由保护二极管(4)与第二半导体层(22)电连接。