[发明专利]单晶制造装置及单晶的制造方法有效
| 申请号： | 200980109099.6 | 申请日： | 2009-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN101970728A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 阿部孝夫 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郑小军;冯志云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是涉及一种单晶制造装置及单晶的制造方法，该单晶制造装置(10)，是根据切克劳斯基法来实行的单晶制造装置(10)，具备主腔室(11)，用以收容包含坩埚(13)的热区零件；及拉拔腔室(12)，用于收纳从已收容在坩埚(13)内的原料熔液被提拉上来的单晶，然后加以取出；其中，进而具备要被配置在坩埚上且有冷却介质流通的冷却管(1)、及使该冷却管(1)上下移动的移动机构(3)，而在培育单晶后，利用移动机构(3)，使冷却管(1)朝向坩埚(13)下降，来冷却热区零件。由此，提供一种单晶制造装置及单晶的制造方法，在提拉大口径例如200mm以上的单晶后，能在短时间内冷却主腔室内的热区零件。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶制造装置，是根据切克劳斯基法来实行的单晶制造装置，至少具备主腔室，用以收容包含坩埚的热区零件；及拉拔腔室，用于收纳从已收容在前述坩埚内的原料熔液被提拉上来的单晶，然后加以取出；该单晶制造装置的特征在于：进而具备要被配置在前述坩埚上且有冷却介质流通的冷却管、及使该冷却管上下移动的移动机构，而在培育前述单晶后，利用前述移动机构，使前述冷却管朝向前述坩埚下降，来冷却前述热区零件。
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