[发明专利]靶材、源、EUV光刻设备和使用该设备的器件制造方法有效
| 申请号： | 200980109474.7 | 申请日： | 2009-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101978791A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | V·M·克里夫特逊;V·Y·班尼恩;A·J·布里克;V·V·伊万诺夫;K·N·克什烈夫;J·H·J·莫尔斯;S·丘里洛夫;D·格卢什科夫 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | H05G2/00 | 分类号： | H05G2/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种靶材被配置成用于被构造且被布置以产生具有在6.8nm范围内的波长的辐射束的源中。靶材包括被配置以改变Gd的熔化温度的基于Gd的合成物，或Tb，或被配置以减小Tb的熔化温度的基于Tb的合成物。 | ||
| 搜索关键词： | 靶材 euv 光刻 设备 使用 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种靶材，用于被构造且被布置以产生具有在极紫外范围中的波长的辐射束的源中，所述靶材包括被配置以改变Gd的熔化温度的基于Gd的合成物。
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