[发明专利]用于将膜沉积至衬底上的方法无效
| 申请号： | 200980109917.2 | 申请日： | 2009-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101983254A | 公开（公告）日： | 2011-03-02 |
| 发明（设计）人： | 乌韦·布伦德尔;赫伯特·迪特里奇;赫尔曼-约瑟夫·席姆佩尔;安德烈亚斯·施塔德勒;丹·托帕;安格利卡·巴希 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 周文强;李献忠 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明揭示一种使用溅镀沉积工艺将膜沉积至衬底上的方法，其中该溅镀沉积工艺包含直流电溅镀沉积，其中该膜由至少90wt％的具有半导体性质的无机材料M2组成，由此该无机材料M2的膜以结晶结构直接沉积，使得至少50wt％沉积膜具有结晶结构，其中用于溅镀沉积的来源材料(标靶)是至少80wt％的无机材料M2组成，其中该无机材料M2是选自于包含含有硫、硒、碲、铟和/或锗的二、三或四盐的组。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 沉积 衬底 方法 | ||
【主权项】：
使用溅镀沉积工艺将膜沉积至衬底上的方法，其中该溅镀沉积工艺包含直流电溅镀沉积；其中该膜由至少90wt％的具有半导体性质的无机材料M2组成；由此该无机材料M2的膜以结晶结构直接沉积，使得至少50wt％的沉积膜具有结晶结构；其中用于该溅镀沉积的来源材料(标靶)是由至少80wt％的无机材料M2组成；其中该无机材料M2是选自于包含含有硫、硒和/或碲的二、三或四盐的组。
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