[发明专利]SOI晶片的制造方法无效
| 申请号： | 200980110193.3 | 申请日： | 2009-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101978467A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 秋山昌次;久保田芳宏;伊藤厚雄;田中好一;川合信;飞坂优二;田村博 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/265;H01L21/306;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 张淑珍;王维玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造SOI晶片的方法，该方法能够有效去除存在于离子注入层中的离子注入缺陷层，所述离子注入层位于通过离子注入剥离方法剥离的剥离表面附近；确保基板的面内均一性；还能实现低成本和高产量。所述制造SOI晶片的方法至少包括以下工序：将硅晶片或含有氧化膜的硅晶片与支撑晶片贴合以制备贴合基板的工序，所述硅晶片通过注入氢离子和/或稀有气体离子而形成离子注入层；沿所述离子注入层进行剥离，从而将所述硅晶片转印至所述支撑晶片上，制成剥离后的SOI晶片的工序；将所述剥离后的SOI晶片在氨-过氧化氢水溶液中浸渍的工序；对经过所述氨-过氧化氢水溶液浸渍的剥离后的SOI晶片施以900℃以上的热处理的工序；和/或通过10-50nm的CMP研磨，对所述经过氨-过氧化氢水溶液浸渍的剥离后的SOI晶片的硅膜层进行研磨的工序。 | ||
| 搜索关键词： | soi 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造SOI晶片的方法，所述方法至少包含以下工序：将硅晶片或含有氧化膜的硅晶片与支撑晶片贴合以制备贴合基板的工序，所述硅晶片通过注入氢离子和/或稀有气体离子而形成离子注入层；沿所述离子注入层进行剥离，从而将所述硅晶片转印至所述支撑晶片上，制成剥离后的SOI晶片的工序；将所述剥离后的SOI晶片在氨‑过氧化氢水溶液中浸渍的工序；以及对所述经过氨‑过氧化氢水溶液浸渍的剥离后的SOI晶片施以900℃以上的热处理的工序，和/或通过10‑50nm的CMP研磨，对所述经过氨‑过氧化氢水溶液浸渍的剥离后的SOI晶片的硅膜层进行研磨的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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