[发明专利]在硅上形成缓冲层构造的方法以及由此形成的结构有效
| 申请号： | 200980110702.2 | 申请日： | 2009-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN101981657A | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | M·K·胡戴特;P·G·托尔钦斯基;L·A·周;D·劳比彻夫;J·M·法斯特诺;A·W·K·刘 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 朱海煜;王洪斌 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了形成微电子器件的方法和相应结构。这些方法可以包括在衬底上形成GaSb成该层，在GaSb成核层上形成Ga(Al)AsSb缓冲层，在Ga(Al)AsSb缓冲层上形成In0.52Al0.48As底部势垒层，以及在In0.52Al0.48As底部势垒层上形成渐变InxAl1-xAs层，因而能够制造出低缺陷、器件级InGaAs基量子阱结构。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 缓冲 构造 方法 以及 由此 结构 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在衬底上形成GaSb成核层；在GaSb成核层上形成Ga(Al)AsSb缓冲层；在Ga(Al)AsSb缓冲层上形成In0.52Al0.48As底部势垒层；以及在In0.52Al0.48As底部势垒层上形成渐变InxAl1‑xAs层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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