[发明专利]涂覆金的多晶硅反应器系统和方法无效
| 申请号： | 200980110775.1 | 申请日： | 2009-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101980959A | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·C·噶姆;乍得·费罗;丹·德斯罗西尔 | 申请（专利权）人： | GT太阳能公司 |
| 主分类号： | C01B33/00 | 分类号： | C01B33/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郑小军;冯志云 |
| 地址： | 美国新罕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种反应室系统及用于该系统内的相关装置和方法，其中经由在反应室内的一个或多个组件上提供一薄金层可以达到减低的功率消耗。该反应室系统可用于化学气相沉积。该金覆层应该维持在至少约0.1微米，且更佳者约0.5至3.0微米的厚度，以在该反应室内提供适当的发射率(emissivity)，因而减低热损失。 | ||
| 搜索关键词： | 涂覆金 多晶 反应器 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种反应器系统，包括：反应室，包含至少一固定在该反应室内的底盘和可操作地连接到该底盘的壳体，该反应室的至少一部分涂覆有厚度至少约0.1微米的金层；至少一细丝，连接到该底盘；电流源，用以供应电流到该细丝；以及气体源，可操作地连通到该反应室，以让气体流经该反应室。
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