[发明专利]电阻变化元件及其制造方法无效
申请号: | 200980111679.9 | 申请日: | 2009-07-22 |
公开(公告)号: | CN101981695A | 公开(公告)日: | 2011-02-23 |
发明(设计)人: | 三谷觉;村冈俊作;神泽好彦;片山幸治;宫永良子;藤井觉;高木刚 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;H01L45/00;H01L49/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种电阻变化元件及其制造方法,该电阻变化元件的特征在于,包括:第一电极(103);第二电极(107);以及,设置成介于第一电极(103)和第二电极(107)之间,并与第一电极(103)和第二电极(107)相接,能够基于施加在第一电极(103)和第二电极(107)之间的极性不同的电信号产生可逆变化的电阻变化层,其中,电阻变化层由氧不足型过渡金属氧化物层构成,第二电极(107)由具有微小突起(108)的铂构成。 | ||
搜索关键词: | 电阻 变化 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种电阻变化元件,其特征在于,包括:第一电极;第二电极;和电阻变化层,其被设置成介于所述第一电极和所述第二电极之间,并与所述第一电极和所述第二电极相接,其能够基于施加在所述第一电极和所述第二电极之间的极性不同的电信号产生可逆变化,其中,所述电阻变化层由包含第一氧不足型过渡金属氧化物层和含氧率比所述第一氧不足型过渡金属氧化物层高的第二氧不足型过渡金属氧化物层的两层叠层结构构成,所述第二氧不足型过渡金属氧化物层与所述第二电极相接,所述第二氧不足型过渡金属氧化物层具有局部膜厚较薄的部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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