[发明专利]在半导体处理系统中离子源的清洗

摘要

本发明披露了利用能够生长/侵蚀电弧室的离子源内的丝极的反应性清洗剂通过适当地控制电弧室内的温度来清洗离子植入系统或其部件，以实现所希望的丝极生长或可替换的丝极侵蚀。还描述了反应性气体例如XeFx、WFx、AsFx、PFx以及TaFx在用于在环境温度、升高的温度或等离子体条件下以原位或离位清洗配置来清洗离子植入机的区域或植入机的部件中的应用，其中x具有化学计量适当的值或值的范围。在具体的反应性清洗剂中，BrF3被描述为可用于以原位或离位清洗配置来清洗离子植入系统或其一个或多个部件。还描述了一种清洗离子植入系统的前级管道用于从所述前级管道中至少部分地去除与电离作用有关的沉积物的方法，该方法包括使所述前级管道与清洗气体进行接触，其中所述清洗气体与所述沉积物具有化学反应性。还描述了一种改进离子植入系统的性能并延长离子植入系统的寿命的方法，包括使阴极与气体混合物进行接触。

主权项

一种在离子植入系统的运行过程中监测所述系统的丝极状态的方法，包括：(a)在离子源的电弧室中使用足以在所述电弧室中产生等离子体的初始电流向丝极供电；(b)测量对所述丝极的电流输入以将所述电弧室中的等离子体保持在连续的等离子体产生的预定时间；(c)将在所述预定时间测量的所述电流输入与所述初始电流进行比较；以及(d)从这种比较中确定材料是否已经沉积在所述丝极上或是否已经发生所述丝极的侵蚀，其中，相对于所述初始电流，在所述预定时间的更大的电流表示材料在所述丝极上的沉积，而相对于所述初始电流，在所述预定时间的更小的电流表示所述丝极的侵蚀。