[发明专利]SOI基板的制造方法有效
| 申请号： | 200980111732.5 | 申请日： | 2009-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN101981654A | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | 秋山昌次;川合信;伊藤厚雄;久保田芳宏;田中好一;飞坂优二;田村博 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/304;H01L21/683;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 张淑珍;王维玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种简便地制造SOI基板的方法，所述SOI基板为透明绝缘性基板，所述SOI基板具有：一个主表面，硅薄膜形成于该主表面上；粗糙的主表面，该粗糙的主表面位于形成所述硅薄膜一侧的相对侧。本发明提供了一种制造SOI基板的方法，所述基板至少包含透明绝缘性基板和硅薄膜，所述硅薄膜形成于作为所述透明绝缘性基板一个主表面的第一主表面上，而所述透明绝缘性基板的第二主表面是粗糙的，所述第二主表面为与第一主表面相对侧的主表面。所述方法至少包含下述工序：制备所述透明绝缘性基板的工序，作为所述透明绝缘性基板，所述第一主表面按RMS值计的表面粗糙度小于0.7nm，并且所述第二主表面按RMS值计的表面粗糙度大于所述第一主表面的表面粗糙度；以及在所述透明绝缘性基板的第一主表面上形成硅薄膜的工序。 | ||
| 搜索关键词： | soi 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造SOI基板的方法，所述基板至少包含透明绝缘性基板和硅薄膜，所述硅薄膜形成于作为所述透明绝缘性基板一个主表面的第一主表面上，而所述透明绝缘性基板的第二主表面是粗糙的，所述第二主表面为与第一主表面相对侧的主表面，所述方法至少包括下述工序：制备所述透明绝缘性基板的工序，作为所述透明绝缘性基板，所述第一主表面按RMS值计的表面粗糙度小于0.7nm，并且所述第二主表面按RMS值计的表面粗糙度大于所述第一主表面的表面粗糙度；以及在所述透明绝缘性基板的第一主表面上形成硅薄膜的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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