[发明专利]制备含硅陶瓷结构的方法无效
| 申请号： | 200980111857.8 | 申请日： | 2009-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101983171A | 公开（公告）日： | 2011-03-02 |
| 发明（设计）人： | M·克内;V·贝克;J·奥贝尔勒 | 申请（专利权）人： | 罗伯特.博世有限公司 |
| 主分类号： | B81C99/00 | 分类号： | B81C99/00;C04B35/589;C08K3/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周铁;林森 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备含硅陶瓷结构(3)的方法，其中，在基质(2)的表面上提供陶瓷前体聚合物结构(1)，其中，所述陶瓷前体聚合物选自聚硅氧烷、聚碳硅烷、聚硅氮烷和/或聚脲硅氮烷，并且其中，所述陶瓷前体结构(1)在基材(2)上被陶瓷化。在本发明方法中，所述陶瓷前体聚合物结构(1)的高度≤20μm，并且垂直于其纵轴(a，a′)的宽度≤500μm。本发明还涉及根据本发明获得的含硅陶瓷结构(3)以及包含这种结构的传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 陶瓷 结构 方法 | ||
【主权项】：
制备含硅陶瓷结构(3)的方法，其中，在基材(2)的表面上提供陶瓷前体聚合物结构(1)，其中，所述陶瓷前体聚合物选自聚硅氧烷、聚碳硅烷、聚硅氮烷和/或聚脲硅氮烷，并且其中所述陶瓷前体结构(1)在基材(2)上被陶瓷化，其特征在于，所述陶瓷前体聚合物结构(1)的高度为≤20μm，并且垂直于其纵轴(a，a′)的宽度为≤500μm。
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