[发明专利]退火装置无效
申请号: | 200980112004.6 | 申请日: | 2009-04-03 |
公开(公告)号: | CN101983416A | 公开(公告)日: | 2011-03-02 |
发明(设计)人: | 河西繁;铃木智博 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/26 | 分类号: | H01L21/26;H01L21/31 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种退火装置,其具有:收容晶片W的腔室(2),对腔室(2)内的晶片W进行光照射的具有多个LED(33)的加热源(17a、17b),对加热源(17a、17b)的LED(33)进行供电的电源部(60),对从电源部(60)向发光元件的供电进行控制的供电控制部(42a、42b),使来自LED(33)的光透过的光透过部件(18a、18b)和将腔室(2)内气体排除的排气机构,其中,供电控制部(42a、42b)对LED(33)进行直流驱动。 | ||
搜索关键词: | 退火 装置 | ||
【主权项】:
一种退火装置,其特征在于,具有:收容被处理体的处理室;按照面对所述处理室内被收容的被处理体的至少一侧的表面的方式设置的具有对被处理体照射光的多个发光元件的加热源;向所述加热源的发光元件供电的电源部;控制从所述电源部向所述发光元件供电的供电控制部;对应于所述加热源而设置的透过来自所述发光元件的光的光透过部件;和排出所述处理室内的气体的排气机构,其中所述供电控制部对所述发光元件进行直流驱动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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