[发明专利]纵型热处理用晶舟及使用此晶舟的硅晶片的热处理方法

摘要

本发明是纵型热处理用晶舟，具备载置被处理基板的支撑辅助构件，该支撑辅助构件分别可装卸地装设在晶舟主体的支撑部上，支撑辅助构件具有：导引构件，被装设在支撑部上；板状基板支撑构件，被处理基板被载置于基板支撑构件上；导引构件，在顶面形成孔；基板支撑构件，被插嵌于导引构件的孔中被安置；被处理基板的载置面的高度位置比导引构件的顶面的高度位置高；基板支撑构件由碳化硅等构成；导引构件由石英等构成。提供纵型热处理用晶舟及使用此晶舟的硅晶片的热处理方法，当将硅晶片等被处理基板载置在配备有支撑辅助构件的纵型热处理用晶舟上，并使用氩气等进行热处理时，能一并抑制铁污染被转印至硅晶片上及硅晶片背面的粗糙化此两种情况。

主权项

一种纵型热处理用晶舟，至少具备：二根以上的支柱；一对板状构件，用以连结各支柱的两端部；晶舟主体，其具有多个支撑部，该支撑部用以将被处理基板水平地支撑于所述各支柱上；以及支撑辅助构件，其分别可装卸地装设在所述多个支撑部上，所述被处理基板则要被载置于其上；该纵型热处理用晶舟的特征在于：所述支撑辅助构件，具有：导引构件，其要被装设在所述支撑部上；以及基板支撑构件，其通过该导引构件而被安置，所述被处理基板则要被载置于该基板支撑构件上；所述导引构件，在其顶面形成孔；所述基板支撑构件，要被插嵌于所述导引构件的孔中而被安置；当所述支撑辅助构件被装设在晶舟主体的支撑部上的时候，所述被处理基板要被载置的面的高度位置，比所述导引构件的顶面的高度位置更高；所述基板支撑构件，由碳化硅、硅、施行碳化硅的化学气相沉积被覆后的碳化硅、施行碳化硅的化学气相沉积被覆后的硅、或施行碳化硅的化学气相沉积被覆后的碳的任一种所构成；所述导引构件，由石英、施行氧化硅膜处理后的碳化硅、施行氮化硅膜处理后的碳化硅、施行氮氧化硅膜处理后的碳化硅、施行氧化硅膜处理后的硅、施行氮化硅膜处理后的硅、或施行氮氧化硅膜处理后的硅的任一种所构成。